對任何電晶體而言，如何將電子由金屬導線注入電晶體都是一項挑戰。在矽半導體中，工程師以一段攙雜了其他元素的矽取代金屬導線，以克服這種所謂的「肖特基位障」（Schottky barrier）。現在，對於這種不容易按照需求攙雜的半導體型奈米碳管，美國史丹佛及普渡大學的研究人員找到了一種方法，可以避開其中的肖特基位障。科學家將寬口徑的奈米管（直徑3奈米）與鈀線（palladium wire）相連接，後者不但導電性佳，與奈米管的黏接也出奇地好。結果是：奈米管所能承載的電流約為以往可能的五倍；這已經接近它們理論上的彈道極限（ballistic limit，意指電子在傳遞時不會與其他粒子碰撞而四處跳飛），而高電流正是製造高功率電腦晶片的關鍵。詳情請見8月7日的《自然》。

【本文原載於Scientific American 2003年10月號】