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科學人新聞

跳躍障礙的奈米管

2003/11/07 明克爾(JR Minkel)
奈米管所能承載的電流,已經增為以往可能的五倍。

重點提要

要製造高效率的電晶體,就要有高電流,但電子在注入電晶體時,往往會遇到障礙。當然,過去科學家就已經找到克服的方法,但若要利用奈米級的導線將電子送入電晶體,就不行了。不過,現在科學家發現新招了......
對任何電晶體而言,如何將電子由金屬導線注入電晶體都是一項挑戰。在矽半導體中,工程師以一段攙雜了其他元素的矽取代金屬導線,以克服這種所謂的「肖特基位障」(Schottky barrier)。現在,對於這種不容易按照需求攙雜的半導體型奈米碳管,美國史丹佛及普渡大學的研究人員找到了一種方法,可以避開其中的肖特基位障。科學家將寬口徑的奈米管(直徑3奈米)與鈀線(palladium wire)相連接,後者不但導電性佳,與奈米管的黏接也出奇地好。結果是:奈米管所能承載的電流約為以往可能的五倍;這已經接近它們理論上的彈道極限(ballistic limit,意指電子在傳遞時不會與其他粒子碰撞而四處跳飛),而高電流正是製造高功率電腦晶片的關鍵。詳情請見8月7日的《自然》。

【本文原載於Scientific American 2003年10月號】
# 關鍵字:科學人新聞物理
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